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碳化硅的金刚石高效精密磨削机理和实验研究 - 百度学术
碳化硅的金刚石高效精密磨削机理和实验研究. 碳化硅陶瓷具有高强度和硬度,高弹性模量,低密度,良好的导热性和低膨胀性等优点,在石油,化工,航空航天,汽车等工业领域得到了广泛
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中北大学刘瑶副教授、祝锡晶教授等：SiC陶瓷先进磨削技术 ...
5 天之前 磨削技术是将SiC陶瓷加工成所需形状、尺寸和表面质量的关键方法。 但是传统磨削成本高，工件容易产生缺陷（如凹坑和裂纹），导致强度下降，影响使用性能。 为了
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碳化硅磨削微观损伤机理及其高性能磨削技术研究 - 百度学术
碳化硅磨削微观损伤机理及其高性能磨削技术研究. 来自 知网. 喜欢 0. 阅读量：. 263. 作者：. 吴重军. 摘要：. 高速加工是20世纪70年代在欧洲和美国兴起的一种加工技术,它可以根据
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磨削用量对超声辅助磨削碳化硅效果的影响
2017年8月2日 摘要: 超声辅助磨削是一种适于加工陶瓷等硬脆材料的先进复合加工技术。 在超声振动方向垂直于加工表面的条件下,采 用金刚石杯形砂轮对碳化硅陶瓷进行超声辅助
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碳化硅晶片减薄砂轮与磨削技术分享； - 知乎
2023年10月31日 本文将介绍萨普新材的碳化硅晶片减薄砂轮与磨削技术，从磨削过程中的晶圆损伤机理，到晶圆的粗磨和精磨减薄，用金刚石砂轮实现低损伤和高切削速率的晶圆
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创新型超硬碳化硅结合金刚石 (DSiC) 材料的激光辅助表面磨削 ...
2016年7月25日 为了解决碳化硅结合剂金刚石材料磨削中的这些技术限制，开发了激光辅助磨削工艺。 超短脉冲激光辐射被有效地利用来诱导材料烧蚀并控制结构损伤，通过减少
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碳化硅菲涅尔微结构的激光-超精密磨削工艺技术基础 - 百度学术
碳化硅菲涅尔微结构的激光-超精密磨削工艺技术基础. 来自 掌桥科研. 喜欢 0. 阅读量：. 97. 作者：. 潘永成. 摘要：. 作为典型的微结构光学元件,菲涅尔微结构光学元件具有体积小,
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(PDF) 磨削速度对碳化硅陶瓷磨削损伤影响机制研究 戴剑博
PDF On Apr 10, 2022, Jianbo Dai and others published 磨削速度对碳化硅陶瓷磨削损伤影响机制研究 戴剑博 Find, read and cite all the research you need on ResearchGate ...
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超精密磨削碳化硅陶瓷的材料去除特性,Advances in Applied ...
2019年12月30日 超精密磨削碳化硅陶瓷的材料去除特性. Advances in Applied Ceramics ( IF 2.2 ) Pub Date : 2019-12-30 , DOI: 10.1080/17436753.2019.1707414. Guang Feng 1, 2,
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磨削碳化硅生产技术
2020年5月20日 碳化硅SIC材料研究现状与行业应用 - 知乎 2019-9-2 由于碳化硅材料属于高硬脆性材料，需要采用专用的研磨液，碳化硅研磨的主要技术难点在于高硬度材料减薄厚度的精确测量及控制，磨削后晶圆表面出现损伤、微裂纹和残余应力，碳化硅晶圆减薄后会产生比碳化硅晶圆更大的翘曲现象。
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碳化硅晶片加工过程及难点 - 知乎
2022年1月21日 此外，晶片尺寸越大，对应晶体的生长与加工技术难度越大，而下游器件的制造效率越高、单位成本越低。目前国际碳化硅晶片厂商主要提供4英寸至6英寸碳化硅晶片，Wolfspeed、II-VI等国际龙头企业已开始投资建设8英寸碳化硅晶片生产线。来源：旺材芯片
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【半导体】碳化硅晶片的磨抛工艺方案 - 知乎
2023年6月19日 碳化硅衬底的加工主要分为以下几个工序，切割，粗磨，精磨，粗抛，精抛（CMP）。. 1.切割. 切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。. 将SiC晶棒切成翘曲度小，厚度均匀的晶片，目前常规的切割方式是多线砂浆切割. 2.研磨. 研磨工艺是去除
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碳化硅菲涅尔微结构的激光-超精密磨削工艺技术基础 - 百度学术
围绕碳化硅菲涅尔微结构这种典型硬脆复杂零件的高效高精度加工目标,本文开展了碳化硅的激光加工机理,菲涅尔微结构的激光成型工艺,菲涅尔微结构磨削波纹度等方面的理论和实验研究.本论文主要包含以下几个方面: (1)通过激光烧蚀环槽实验分析了红外亚纳秒 ...
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碳化硅陶瓷高效端面磨削试验研究_技术_磨料磨具网_磨料磨具 ...
2018年10月12日 本文采用金刚石砂轮对 碳化硅陶瓷 进行端面磨削正交试验研究，试验参数选用低进给速度和大磨削深度，探究了不同磨削参数对磨削力和磨削面质量的影响规律，分析了磨削表面的损伤形式，进一步验证了碳化硅陶瓷磨削加工材料去除机理，对碳化硅磨削加工 ...
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碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 - 电子工程专辑 EE ...
2022年10月9日 针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理，指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。. 1、背景与意义. 作为半导体产业中的衬底材料，碳化硅单晶具有优异 ...
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碳化硅磨削微观损伤机理及其高性能磨削技术研究 - 百度学术
摘要： 高速加工是20世纪70年代在欧洲和美国兴起的一种加工技术,它可以根据加工对象的不同,在高材料去除率,极好的加工经济效益下很好地满足产品的质量要求.高速磨削技术在突破难加工材料的技术瓶颈方面具有特别重要的意义.然而,在高速磨削中,由于高的砂轮速度会对工件材料产生极高的冲击 ...
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碳化硅的金刚石高效精密磨削机理和实验研究 - 百度学术
摘要： 碳化硅陶瓷具有高强度和硬度,高弹性模量,低密度,良好的导热性和低膨胀性等优点,在石油,化工,航空航天,汽车等工业领域得到了广泛应用,但由于脆性大而在精密及超精密加工中难以达到良好的精度及表面质量,同时生产效率低,生产成本过高,而金刚石超精密磨削加工技术的发展使碳化硅陶瓷及 ...
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超声辅助磨削碳化硅铝基复合材料 - 百度学术
超声辅助磨削碳化硅铝基复合材料. SiC颗粒含量50%以上的高体积分数碳化硅铝基复合材料 (SiCp/Al)不仅具有高比模量,低膨胀系数等优异性能,而且在热导率,密度,热变形系数等关键性指标上都优于一般的材料,并且在航天和军事领域得到了广泛的应用.但是由于高体积 ...
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国内外砂带磨削技术的发展及应用_技术_涂附磨具网
2012年6月8日 摘要：本文探讨了国内外 砂带 磨削技术的发展与应用，介绍了国外堆积磨料砂带、多层磨粒砂带、空心球磨料砂带、第三涂层和特殊涂层砂带、 无纺布 砂带和金刚石与CBN磨料砂带等新型砂带技术，指出目前国内外 砂带磨削技术 向自动化、数控化和智能化 ...
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碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势综述 - Casmita
2022年10月10日 碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势综述技术 半导体产业网 芯 半导体 中国 华为 氮化镓 第三代半导体 半导体产业 ... 被加工表面有极低的表面粗糙度，Si面在 0. 3 nm 之内，C 面在 0. 5 nm 之内。根据
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磨削碳化硅生产技术
2021年12月16日 碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 知乎2021年12月16日 摘 要:碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性，传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅 碳化硅（SiC）衬底，未来大哥是谁
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不同结构化金刚石砂轮磨削碳化硅陶瓷的试验研究
2021年8月26日 了工件的磨削力，但是冷却效果及排屑能力还有待 提升。文献[8－14]提出宏观结构化金刚石砂轮磨削 技术，结果表明，宏观结构化金刚石砂轮磨削技术不 仅有效减小了磨削时的磨削力，还降低了磨削区的 温度。由此可见，该技术有助于提升磨削液在磨削
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碳化硅陶瓷的加工方法及常见问题 - 知乎
2023年5月3日 碳化硅陶瓷加工的主要问题碳化硅陶瓷加工虽然有许多方法，但加工成本高，加工效率低，加工精度差。. 其主要原因之一是陶瓷的硬度非常高。. 对于碳化硅陶瓷未烧体或焙烧体主要用切削加工进行粗加工，烧结后用磨削进行精加工。. 根据碳化硅陶瓷情况不
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碳化硅行业研究：把握能源升级+技术迭代的成长机遇 - 知乎
2023年2月11日 基于电池成本节约和 800V 平台带来的优势，未来车用碳化硅市场规模有望快速扩大， 行业成长机遇显著。. 据 Yole，2021 年全球碳化硅市场规模约为 6.85 亿美元，到 2026 年有望成长至 38.10 亿美元，2021~2026 年间复合增速达 40.96%。. 其中，逆变器是车 用碳化硅的主要 ...
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碳化硅陶瓷的磨削工艺及质量控制，高难度！
2018年1月2日 原标题：碳化硅陶瓷的磨削工艺及质量控制，高难度！. 碳化硅陶瓷具有硬度高、强度高和耐高温等优异性能，被广泛运用于化工、矿业、航空航天、汽车和微电子等工业领域。. 在加工过程中，陶瓷材料常需要进行钻孔和开槽等工序，而碳化硅陶瓷具有较高的 ...
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第三代半导体制造的工艺难点、应用前景和产业链_科创中国
2020年12月2日 碳化硅生长炉的技术指标和工艺过程中的籽晶制备、生长压力控制、温度场分布控制等因素，决定了单晶质量和主要成本。 PVT法生长的SiCk单晶一般是短圆柱状，柱状高度(或长度)在20 mm以内，需要通过机械加工整形、切片、研磨、抛光等化学机械抛光和清洗等工艺，才能成为器件制造前的衬底材料。
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绿碳化硅的砂轮生产工艺介绍及注意事项_技术_磨料磨具网 ...
2013年2月20日 绿 碳化硅 ， 砂轮 代号GC砂轮适用于加工硬质合金，玻璃，陶瓷和非金属材料外，还用于半导体材料，高温硅碳棒发热体，远红外源基材等。. 绿碳化硅 砂轮生产工艺. 绿碳化硅制造方法同黑色碳化硅，但采用的原材料纯度要求较高，也在电阻炉中2200°C左右
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半导体基片超精密磨削技术的研究现状与发展趋势
单晶硅、碳化硅、氧化镓、氮化镓等半导体基片广泛应用于集成电路、功率器件和微传感器等半导体器件的制造。超精密磨削是半导体基片平整化加工和背面减薄加工的核心工艺技术，对半导体器件的加工效率及加工质量具有重要的影响。为了满足半导体器件的使用性能，半导体材料的种类逐渐增多 ...
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磨削碳化硅生产技术
2021年12月16日 碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 知乎2021年12月16日 摘 要:碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性，传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅 碳化硅（SiC）衬底，未来大哥是谁
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