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第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代 - 知乎
2021年8月16日 碳化硅的优势. 硅，是制造半导体芯片及器件最为主要的原材料，因自然界储量大、制备相对简单等优点，成为了目前制造半导体芯片和器件最为主要的原材料，目前90%以上的半导体产品是以硅为衬底制
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碳化硅：第三代半导体核心材料-新华网
2021年11月10日 碳化硅具有耐高压、高频、大功率等优良的物理特性，是第三代半导体材料，也是卫星通信、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通信基站等重要领域的关键材料，
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英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2，推动 ...
2024年3月12日 新一代碳化硅技术使厂商能够更快地设计出成本更低、结构更紧凑、性能更可靠，且效率更高的系统，在实现节能的同时减少现场的每瓦二氧化碳排放。 这充分体
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碳化硅 - 意法半导体STMicroelectronics
GaN. 优质成像代工. SiC: 以碳化硅打造更可持续的未来。 历经多年的研发积累，意法半导体于2004年推出了第一款碳化硅二极管。 SiC MOSFET问世于2009年，并于2014年开始量
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顺利开幕-2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导
2023年5月6日 我国目前在以碳化硅、氮化镓为首的第三代半导体材料领域已经形成了完整的产业链，从材料、装备及工艺技术等方面也均实现了部分国产化替代，要实现碳化硅关键装备及工艺技术完全的国产自主可控，
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话题｜碳化硅在新型电力系统中的应用与可靠性研究-电子 ...
2024年4月15日 当前，新型电力系统所采用的碳化硅器件分成两类，一类是中低压的SiC MOSFET器件，电压范围为1200V-6500V。这类碳化硅器件主要用在配电网，比如分布能源的光伏逆变器、储能PCS 等。需求放量是在未来配网实现有源化之后，交流和直流的连接必
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日本高鸟研发出新型碳化硅功率半导体方向的切割设备，可 ...
2023年12月25日 新型多线切割设备可切割直径为10吋的晶圆 与硅基功率半导体相比，碳化硅材料功耗更低，预计在电动汽车（EV）等方向的需求有望进一步增长。晶圆尺寸越大，可以切割出的芯片数量就越多，因此晶圆厂家纷纷致力于向大尺寸晶圆“迈进”，如今已经从6吋向8吋（为6吋的1.8倍）过渡。
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新型碳化硅IGBT器件，首次成功实现导通电流密度突破
2020年1月23日 新型碳化硅超高压器件终端技术 在碳化硅 IGBT的研制过程中，离子注入掺杂工艺在器件外围形成球面结和柱面结，因此需要设计有效的终端结构来提高高压碳化硅器件的击穿能力。常用于碳化硅终端技术
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碳化硅功率模块封装技术综述 - 知乎
2022年7月22日 碳化硅功率模块封装技术综述. ZY半导体在线. 摘要. 碳化硅作为宽禁带半导体的代表，理论上具有极其优异的性能，有望在大功率电力电子变换器中替换传统硅 IGBT，大幅提升变换器的效率以及功率密度等性能。. 但是目前商用碳化硅功率模块仍然沿用传统硅 IGBT ...
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铝碳化硅（AlSiC）复合材料及产品介绍 铝碳化硅复合材料介绍
2016年6月3日 铝碳化硅复合材料介绍. 铝碳化硅复合材料(AlSiC) Metalized Ceramic),是一种新型功能复合材料,全称铝基碳化硅陶瓷颗粒增强复合材料(Reinforced Material Aluminum Matrix SiC Particle )。. 其展现出的优异性能,吸引了国内外无数的科研院所和科技公司对其. 生产制造技术投入资金 ...
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首次发现！碳化硅成为微芯片传感器中的新型超强材料-电子 ...
2023年11月6日 碳化硅成为微芯片传感器中的新型超强材料-电子工程专辑. 首次发现！. 碳化硅成为微芯片传感器中的新型超强材料. 由助理教授Richard Norte领导的代尔夫特理工大学的研究人员公布了一种引人注目的新材料，具有影响材料科学世界的潜力：非晶碳化硅（a-SiC ...
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【科技日报】新型铝基碳化硅复合材料为“祝融”漫步火星护航 ...
2021年5月26日 随后，他们设计出一系列新型高强、高塑、高稳定性的铝基碳化硅复合材料，并成功突破大尺寸坯料制备与成形加工技术难题，使得所研发的高强韧新型铝基碳化硅复合材料具备了应用可行性，从而为火星探测器顺利研制提供了有力保障。. “与传统铝基碳化硅 ...
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更耐高压、更低功耗：新型碳化硅IGBT器件闪耀半导体器件 ...
2023年1月28日 新型碳化硅超高压器件 终端技术 在碳化硅 IGBT的研制过程中，离子注入掺杂工艺在器件外围形成球面结和柱面结，因此需要设计有效的终端结构来提高高压碳化硅器件的击穿能力。常用于碳化硅终端技术的结构包括结终端扩展（JTE）、场限环（GR）、场板
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揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道_澎湃号湃客 ...
2021年7月5日 碳化硅，第三代半导体材料. 第三代半导体材料又称宽禁带半导体材料，和传统硅材料主要的区别在禁带宽度上。. 禁带宽度是判断一种半导体材料击穿电压高低的重要指标，禁带宽度数值越大，则该种材料制成器件的耐高压能力越强。. 以碳化硅为代表的第三代
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高鸟研发出新型碳化硅功率半导体方向的切割设备，可用于 ...
2023年12月26日 新型多线切割设备可切割直径为10 吋的晶圆 与硅基功率半导体相比，碳化硅材料功耗更低，预计在电动汽车（EV）等方向的需求有望进一步增长。晶圆尺寸越大，可以切割出的芯片数量就越多，因此晶圆厂家纷纷致力于向大尺寸晶圆“迈进 ...
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第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 - 知乎
2021年6月11日 本文详细论述了第三代半导体材料碳化硅 (SiC)的生产方法、 研究进展和产业化现状， 提出了未来努力的方向和解决的方案， 并展望了其未来的发展趋势和应用前景。. 1 碳化硅的制备方法. 碳化硅产业链主要包含粉体、 单晶材料、 外延材料、 芯片制备、 功率
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碳化硅行业深度报告：新材料定义新机遇，SiC引领行
2022年10月9日 碳化硅在射频、功率器件领域应用广泛，市场增长空间广阔。. 根据碳化硅行业 全球龙头厂商 Wolfspeed 的预测，受新能源汽车及发电、电源设备、射频器件等 需求驱动，2026 年碳化硅器件市场规模有望达
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顺利开幕-2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导
开幕大会现场. 2023年5月5日，“2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术发展论坛”在长沙盛大召开。. 论坛在第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导下，由极智半导体产业网与中国电子科技集团第四十八研究所
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日本高鸟研发出新型碳化硅功率半导体方向的切割设备，可 ...
2023年12月26日 新型多线切割设备可切割直径为10吋的晶圆 与硅基功率半导体相比，碳化硅材料功耗更低，预计在电动汽车（EV）等方向的需求有望进一步增长。 晶圆尺寸越大，可以切割出的芯片数量就越多，因此晶圆厂家纷纷致力于向大尺寸晶圆“迈进”，如今已经从6吋向8吋（为6吋的1.8倍）过渡。
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碳化硅： 电力电子的未来 - 知乎
2023年3月27日 基于碳化硅（SiC）的器件在高电压、低损耗功率器件的电路运行方面显示出更大的电路弹性。与其前身硅（Si）相比，SiC 作为一种材料具有很好的电气特性，在高功率开关应用中具有更高的效率。 随着进一步的研究和开发，由于SiC的长期可靠性 ...
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碳化硅功率器件技术综述与展望 - CSEE
2020年3月16日 Cree公司采用双注入MOSFET(double implantation MOSFET,DMOSFET) 的技术路线,结构如图4(a)所示,该公司自2010 年起发布商业化SiC MOSFET。. 器件通过改进元胞尺寸以及改善SiC/SiO2( 二氧化硅)界面特性的手段,元胞尺寸从发布的第一代产品的10 m 降低至第三代产品的6 m,比导通电阻也从 ...
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新型化合物半导体封装材料—铝碳化硅 - 知乎
2023年9月22日 高体分铝碳化硅为第三代半导体封装材料，已率先实现电子封装材料的规模产业化，满足半导体芯片集成度沿摩尔定律提高导致芯片发热量急剧升高、使用寿命下降以及电子封装的“轻薄微小”的发展需求。. 尤其在航空航天、微波集成电路、功率模块、军用 ...
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IFWS 2023│九峰山实验室袁俊：新型碳化硅沟槽器件技术 ...
2023年12月21日 IFWS 2023│九峰山实验室袁俊：新型碳化硅沟槽器件技术研究进展. 核心提示：湖北九峰山实验室功率器件负责人袁俊做了“新型碳化硅沟槽器件技术研究进展”的主题报告，分享了JFS多级沟槽二极管研究，JFS新型沟槽MOSFET等内容。. 碳化硅功率器件具有高压高功率 ...
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新型碳化硅功率二极管的研究 - 百度学术
新型碳化硅功率二极管的研究. 随着绿色高效能源转换的迫切要求和电力电子技术的不断发展,以硅材料为基础的传统电力电子器件的物理局限性日益显现,严重制约了器件的工作电压,工作电流,工作频率,工作温度,耗散功率和抗辐射等性能的提高.碳化硅材料作为新 ...
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三了解第三代半导体材料：碳化硅（SiC） - 知乎
2019年7月25日 2、碳化硅有什么用？ 以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，目前在已经形成了全球的材料、器件和应用 ...
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