24小时服务热线
18790282122
第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 - 知乎
2021年6月11日 碳化硅功率模块是碳化硅金氧半场效晶体管和碳化硅二极管的组合， 通常将驱动芯片放置在功率模块以外的驱动板上。为了充分发挥碳化硅金氧半场效晶体管的最优
了解更多
第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 - 知乎
2019年9月5日 碳化硅功率器件整个生产过程大致如下图所示，主要会分为碳化硅单晶生产、外延层生产、器件制造三大步骤，分别对应产业链的衬底、外延、器件和模组三大环节。 碳化硅功率器件生产过程. 衬底方面：通
了解更多
纳米碳化硅的制备与应用研究进展
2023年9月20日 纳米碳化硅(SiC)材料因具有耐磨、耐腐蚀、强度高、高热导等优良的物理与化学性质而备受关注,其作为多功能材料可广泛用于国防、航空、汽车工业、化工、机械
了解更多
一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 - ROHM技术社区 ...
2022年12月1日 实现碳化硅离子注入的方法. 在碳化硅工艺制造过程中，典型的高能离子注入设备主要由离子源、等离子体、吸出组件、分析磁体、离子束、加速管、工艺腔和扫描
了解更多
碳化硅的制备及应用最新研究进展 - 汉斯出版社
SiC的制备方法. 2.1. 固相法是利用两种或两种以上的固体物质，通过充分研磨和高温煅烧生产碳化硅的传统方法。 该法生产的碳化硅粉体不够细，杂质多，能耗低，效率低，但由于
了解更多
纳米碳化硅的制备与应用研究进展 - 汉斯出版社
碳热还原法是指在一定的温度下，以无机碳为还原剂与SiO 2 发生氧化还原反应合成SiC的过程，原理如 图1 。 反应式如下： SiO 2 (s) + C (s) = SiO (g) + CO (g) (1) SiO 2 (s) = SiO
了解更多
碳化硅的制备及应用最新研究进展 - 百度学术
碳化硅具有强度大,硬度高,弹性模量大,耐磨性好,导热性强和耐腐蚀性好等优异性能,被广泛地应用于磨料磨具,陶瓷,冶金,半导体,耐火材料等领域.常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还
了解更多
我想了解一下碳化硅的生产工艺？ - 知乎
2021年12月24日 与非网. 2 人赞同了该回答. 每个工程师都想要一个完美的开关，以便能在开和关两种状态之间瞬间切换，且在两种状态下都实现尽可能低的损耗。 要实现这样的
了解更多
氮化硅结合碳化硅耐火材料的制备方法
2020年4月12日 目前，SiC（碳化硅）的制备方法有很多。单晶SiC的制备方法主要是升华生长法，SiC陶瓷基体的制备工艺一般为反应烧结、无压烧结、热等静压烧结等。工业生产SiC—般采用在电炉中用碳还原SiO2，以石油焦、优质硅石作为添加剂，通过电阻炉高温冶炼
了解更多
碳化硅的合成、用途及制品制造工艺
2020年6月10日 碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。. 其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约1.4t的一氧化碳 (CO ...
了解更多
一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 - ROHM技术社区 ...
2022年12月1日 碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望成为未来制作半导体芯片的主要材料之一。. 为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介绍 SiC 器件制造中的离子注入工艺和激活退火工艺。. 离子注入是一种向半导体材料内部加入特定数
了解更多
碳化硅制备常用的5种方法
2020年8月27日 SiC陶瓷的制备通常有以下几种方法：. (1)无压烧结. 无压烧结法制备的SiC陶瓷，其致密度通常可达到98%，这主要是因为添加的烧结助剂，如铝溶胶、硅溶胶等，在高温下形成液相促进烧结，从而促进了陶瓷的致密化。. Omori等以氧化物作为烧结助剂，在较低的烧结 ...
了解更多
碳化硅（SIC）单晶生长用高纯碳化硅（SIC）粉体的详解 ...
2023年10月27日 本文主要关注的是目前报道过的高纯 SiC 粉的制备方法，对工艺过程以及优缺点进行介绍，最后预测未来的发展方向。. 1、高纯 SiC 粉体的合成方法. 生长 SiC 单晶用的 SiC 粉体纯度要求很高，其中杂质含量应至少低于 0． 001% 。. 在众多 SiC 粉合成方法
了解更多
碳化硅陶瓷的制备技术 - 豆丁网
2018年11月7日 碳化硅陶瓷的制备技术.ppt. 一、碳化硅的前沿二、SiC粉末的合成三、SiC的烧结方法四、反应烧结碳化硅的成型工艺五、碳化硅陶瓷的应用碳化硅陶瓷材料具有高温强度大，高温抗氧化性强、耐磨损性能好，热稳定性佳，热膨胀系数小，热导率大，硬度高，抗热
了解更多
高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望_化学
2020年8月21日 碳化硅粉体合成采用高纯碳粉和硅粉直接反应，通过高温合成的方法生成。. 碳化硅粉体合成设备主要技术难点在于高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉体合成坩埚加热与耦合技术。. 当前国外主要厂商包括Cree、Aymont等 ...
了解更多
多孔碳化硅陶瓷的制备与应用最全总结 - 中铭富驰
2021年4月23日 颗粒堆积烧结法是最为简单的制备多孔碳化硅陶瓷的方法。该法的原理是利用陶瓷颗粒自身的烧结性能 ，在不同的SiC颗粒间形成烧结颈，从而使得颗粒堆积体形成多孔陶瓷。为了降低烧结温度，通常添加一定量熔点较低的粘结剂使不同SiC颗粒之间形成连接。
了解更多
碳化硅重结晶的原理 - 百度文库
碳化硅重结晶的原理- 碳化硅重结晶的原理主要是基于碳化硅材料在高温下的热力学性质。当碳化硅材料处于合适的温度范围内，其晶界具有一定的迁移能力，可以通过晶界扩散使晶粒尺寸增大。同时，由于碳化硅的熔点较高，其在高温下不易熔化，可以 ...
了解更多
碳化硅SiC MOSFET的制造工艺与工作原理 - 亿伟世科技
2022年4月28日 碳化硅SiC MOSFET的制造工艺与工作原理. 碳化硅，一种不怎么新的材料. 史上最早记载的关于SiC材料的实验发生在1849年左右，当时这种材料已被广泛用于制作防弹衣或者磨料。. IGBT的发明者之一在1993年的文献 [1]中讨论了与硅 (Si)器件相比，不同SiC材料所具有的优越 ...
了解更多
碳化硅晶须的生长机理与制备方法 - 百度学术
宋祖伟 ， 戴长虹 ， 翁长根. 摘要：. 比较详细地介绍了当前国内外碳化硅晶须的生长机理与制备方法,简要评述了对碳化 硅晶须研究的进展状况. 关键词：. 碳化硅晶须 生长机理 制备方法. 收藏 引用 批量引用 报错 分享. 全部来源 求助全文. 维普期刊专业版 万方.
了解更多
碳化硅及其复合材料的制备与电磁波吸收性能研究 - 百度学术
碳化硅及其复合材料的制备与电磁波吸收性能研究. 吸波材料不仅在军事领域具有特殊的战略地位,在民用上也日趋广泛.随着现代科技的飞速发展,各相关领域对吸波材料的要求不仅有"宽,薄,轻,强",还有多频谱,高强度,耐高温,抗辐射等.碳化硅 (SiC)作为吸波材料具有 ...
了解更多
氮化硅结合碳化硅砖 - 百度百科
氮化硅结合碳化硅砖的工艺流程见图1。图1 工艺特点是利用反应烧结原理，以氮化反应使含硅粉的SiC坯体烧结，烧成过程在通入氮气、容易控制的密闭炉内完成。炉内温度、压力、气氛均要严格控制，方能制出有好的显
了解更多
反应烧结碳化硅高温性能的研究进展
2021年6月10日 主要阐述了反应烧结碳化硅高温力学性能、抗氧化性能、导热性能和抗热震性能的研究现状,并总结了近年来降低游离硅含量、提高反应烧结碳化硅力学性能的主要措施,包括优化材料制备工艺、引入补强增韧相。并展望了反应烧结碳化硅未来的研究方向。
了解更多
碳化硅的制备及应用最新研究进展 - 百度学术
碳化硅的制备及应用最新研究进展. 碳化硅具有强度大,硬度高,弹性模量大,耐磨性好,导热性强和耐腐蚀性好等优异性能,被广泛地应用于磨料磨具,陶瓷,冶金,半导体,耐火材料等领域.常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法,机械粉碎法,溶胶–凝胶法,化学气相沉积 ...
了解更多
多孔碳化硅陶瓷制备方法的研究进展-专题-资讯-中国粉体网
2020年12月7日 所以，它的制备方法一直是人们的研究重点。. 本文主要综述了近年来国内外在多孔碳化硅陶瓷制备方法方面的研究进展。. 物理法. 物理法是指多孔碳化硅陶瓷中的空隙是由制备过程中的一系列物理现象导致的，并没有化学反应的发生或新物质的生成。. 其主
了解更多
碳化硅外延片制备工艺
2023年10月14日 碳化硅外延片的制备工艺是一种利用化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，简称CVD）技术的方法。. 下面是相关的技术原理和制备工艺步骤：. 技术原理：. 化学气相沉积：利用气相中的原料气体，在特定的反应条件下，使其分解并沉积在衬底上，形成所需的薄膜 ...
了解更多
【中国科学报】20余年坚守创新 他为国产碳化硅“开路”----中国 ...
2024年2月5日 陈小龙长期从事第三代半导体材料碳化硅晶体制备的基础和应用基础研究。. 20多年来，他带领团队从零开始自主创新，抢占科技制高点，打破国外封锁，实现碳化硅单晶国产化。. 2023年底，陈小龙带领团队另辟蹊径，实现了晶圆级立方碳化硅单晶生长的新突
了解更多
半导体高纯碳化硅(SiC)粉料的合成方法及工艺探究的详解 ...
2024年1月10日 半导体. 制造工艺. 碳化硅. 高纯SiC粉料合成方法目前，用于生长单晶的高纯SiC粉料的合成方法主要有： CVD法和改进的自蔓延合成法（又称为高温合成法或燃烧法）。. 其中CVD法合成SiC粉体的Si源一般包括硅烷和四氯化硅等，C源一般选用四氯化碳、.
了解更多
高比表面碳化硅制备及其作为催化剂载体的应用
2010年4月1日 m2g-1 的多孔碳化硅, 其它形式的碳化硅, 如纳米线 和纳米颗粒将不在本文讨论之内. 有关纳米碳化硅 的制备、性质和应用可参阅相应的综述文章[3-4]. 1 高比表面积碳化硅制备方法 工业上制备碳化硅通常采用碳热还原的方法, 即将粉状的碳和二氧化硅直接混合
了解更多